日前，國產薄膜沉積設備領軍企業拓荊科技完成IPO申購，即將登陸科創板。

        拓荊科技成立于2010年4月，是遼寧省及沈陽市重點培育的上市后備企業和中國半導體設備五強企業，主要從事高端半導體專用薄膜沉積設備的研發、生產以及技術服務，產品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、原子層沉積(ALD)設備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備三個產品系列，是目前國內唯一一家產業化應用的集成電路設備廠商。

        公司產品已廣泛應用于中芯國際(44.030, 0.14, 0.32%)、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯芯、燕東微電子等國內晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產線，在不同種類芯片制造產線的多道工藝中得到商業化應用。同時，公司展開10nm及以下制程產品驗證測試，在研產品已發往國際領先晶圓廠參與其先進制程工藝研發。

        拓荊科技立足自主創新，先后承擔多項國家重大科技專項課題，在半導體薄膜沉積設備領域積累了多項研發及產業化核心技術，并達到國際先進水平。其中，公司先進的薄膜工藝設備設計技術、反應模塊架構布局技術、半導體制造系統高產能平臺技術等核心技術，不僅解決了半導體制造中納米級厚度薄膜均勻一致性、薄膜表面顆粒數量少、快速成膜、設備產能穩定高速等關鍵難題，還在保證實現薄膜工藝性能的同時，提升了客戶產線的產能，減少客戶產線的生產成本。

        拓荊科技經過10多年的技術積累，已形成覆蓋20余種工藝型號的薄膜沉積設備產品，可以適配國內最先進的28/14nm邏輯芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128層3DNANDFLASH晶圓制造產線，滿足下游集成電路制造客戶對于不同材料、不同芯片結構薄膜沉積工序的設備需求。

        其中，PECVD設備已全面覆蓋邏輯電路、DRAM存儲、FLASH閃存集成電路制造各技術節點產線多種通用介質材料薄膜沉積工序，并研發了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先進介質材料工藝，一舉打破了薄膜沉積設備長時間被國際廠商壟斷的局面。拓荊科技已經成為可與國際巨頭直接競爭的半導體高端設備制造廠商。

        拓荊科技在科創板發行上市主要是為開展配適10nm以下制程的PECVD產品研發、開發ThermalALD和大腔室PEALD，以及升級SACVD設備，研發12英寸滿足28nm以下制程工藝需要的SACVD設備。在加強產品技術研發的同時，拓荊科技還將逐步培育和完善國內相關產業鏈，提高設備零部件的國產化率。同時，公司還將利用國產設備廠商的綜合優勢，為客戶提供定向技術開發與服務，以此助力半導體產業鏈發展，保障產業鏈的技術先進性。

《電鰻快報》